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内容类型
期刊论文 [11]
专利 [4]
其他 [1]
发表日期
1984 [16]
学科主题
Chemistry,... [1]
metallurgy... [1]
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共16条,第1-10条
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发表日期:1984
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Distribution feedback type semiconductor laser element
专利
专利号: JP1984225584A, 申请日期: 1984-12-18, 公开日期: 1984-12-18
作者:
UNO TOMOAKI
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/31
Electronic device
专利
专利号: JP1984200481A, 申请日期: 1984-11-13, 公开日期: 1984-11-13
作者:
TOZAWA MASATO
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/31
Characteristic measuring device for semiconductor laser
专利
专利号: JP1984143933A, 申请日期: 1984-08-17, 公开日期: 1984-08-17
作者:
MAEDA TAKANORI
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/31
INTERFACE EFFECT OF RARE-EARTH METALS GADOLINIUM(Gd) AND LANTHANUM(La).
期刊论文
Materials Letters, 1984, 卷号: 2, 期号: 5 A, 页码: 373-376
作者:
Li, S.Y.
;
Zhang, T.J.
;
Li, S.S.
;
Wang, Y.Z.
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提交时间:2016/10/21
INTERFACE EFFECT
NEGATIVE ELECTRIC EFFECTS
OXIDIZED SILICON INTERFACE
THERMALLY OXIDIZED SILICON
Integrated optic device
专利
专利号: EP0104634A1, 申请日期: 1984-04-04, 公开日期: 1984-04-04
作者:
MOROZ, JOHN
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
THE VIBRATIONAL-RELAXATION AND ELECTRONIC QUENCHING OF BAO-STAR (A1-SIGMA) IN AR AND N-2
期刊论文
KEXUE TONGBAO, 1984, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 780-784
作者:
LIANG, YC
;
LI, XC
;
LOU, NQ
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/06/20
THE PI-ELECTRONIC ENERGY-LEVELS OF QUASI-ONE DIMENSIONAL TCNQ CRYSTAL AND PEIERLS TRANSITION
期刊论文
ACTA CHIMICA SINICA, 1984, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 1219-1222
作者:
WU, GZ
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/04/09
TRANSFER-FUNCTIONS, FREQUENCY RESPONSES, AND TIME RESPONSES OF THE TYPE-DD-1 AND TYPE-DK-1 ELECTRONIC SEISMOGRAPHS DETERMINED BY APPLYING COMPLEX CURVE FITTING
期刊论文
ACTA GEOPHYSICA SINICA, 1984, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 452-462
作者:
WANG, GF
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2018/09/26
芬太尼及其哌啶季铵离子的电子结构研究
期刊论文
化学学报, 1984
陈常英
;
许振华
;
王秀珍
;
黎乐民
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提交时间:2015/11/13
电子结构
季铵离子
分子轨道计算
键级
哌啶
活性中心
自洽场计算
计算机程序
孤对电子
密度矩阵
原子簇与有关分子的结构规则——Ⅲ.硼烷、碳硼烷、立方烷和棱柱烷的电子结构
其他
1984-01-01
陈志达
;
徐光宪
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提交时间:2015/10/24
硼烷
电子结构
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分子轨道法
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