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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of thermodynamics properties of chalcopyrite compound CdGeAs 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2016, 卷号: Vol.443, 页码: 8-14 作者:  Huang, Wei;  Zhao, Beijun;  Zhu, Shifu;  He, Zhiyu;  Chen, Baojun 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/03/26 CdGeAs2  single  crystals  Vertical  Bridgman  technique  Thermal  expansion  coefficients  Grüneisen  parameters  Thermal  conductivities   Correlation between dislocation etch pits, carrier concentration and optical absorption in CdGeAs grown by modified Vertical Bridgman method 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: Vol.656, 页码: 818-824 作者:  Huang, Wei;  Zhao, Beijun;  Zhu, Shifu;  He, Zhiyu;  Chen, Baojun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/03/26 CdGeAs2  single  crystals  Vertical  Bridgman  technique  Carrier  concentration  Dislocation  etch  pits  Optical  absorption   Progress in the CdZnTe Single Crystal Growth and Substrates Fabrication 会议论文 International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging:Infrared Imaging and Applications, Beijing, 2013-06-25 - 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/11/11 CdZnTe  substrate  crystal growth  vertical Bridgman technique  EPD  inclusion  precipitate   Coupled donor states in InP by Sn doping 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.2812666, 2007 Cai, Duanjun; Kang, Junyong; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 VERTICAL BRIDGMAN TECHNIQUE  INDIUM-PHOSPHIDE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE  GROWTH