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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Dual Reference Sensing Scheme with Triple Steady States for Deeply Scaled STT-MRAM 会议论文 Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), 2016-01-01 作者:  Zhang, He;  Kang, Wang;  Pang, Tingting;  Lv, Weifeng;  Zhang, Youguang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/30 Dual reference sensing  read reliability  sensing margin (SM)  STT-MRAM   Dynamic Reference Sensing Scheme for Deeply Scaled STT-MRAM 会议论文 2015 IEEE 7TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW), 2015-01-01 作者:  Kang, Wang;  Pang, Tingting;  Zhang, Youguang;  Ravelosona, Dafine;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/06 Dynamic reference sensing (DRS)  readability  sensing margin (SM)  STT-MRAM   Variation-Tolerant and Disturbance-Free Sensing Circuit for Deep Nanometer STT-MRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2014, 卷号: 13, 页码: 1088-1092 作者:  Kang, Wang;  Li, Zheng;  Klein, Jacques-Olivier;  Chen, Yuanqing;  Zhang, Youguang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/06 (PVT) variations  read disturbance (RD)  sensing circuit  sensing margin (SM)  STT-MRAM