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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2000 [4]
学科主题
半导体材料 [2]
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Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (msm) ultraviolet photodetectors on undoped gan/sapphire grown by mbe
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6
作者:
Xu, HZ
;
Wang, ZG
;
Kawabe, M
;
Harrison, I
;
Ansell, BJ
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Photoluminescence
Optical quenching of photoconductivity
Native defect level
Molecular beam epitaxy
Photoluminescence and optical quenching of photoconductivity studies on undoped gan grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 3, 页码: 228-232
作者:
Xu, HZ
;
Wang, ZG
;
Harrison, I
;
Bell, A
;
Ansell, BJ
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Photoluminescence
Optical quenching of photoconductivity
Native defect level
Molecular beam epitaxy
Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetectors on undoped GaN/sapphire grown by MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Ansell BJ
;
Foxon CT
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
photoluminescence
optical quenching of photoconductivity
native defect level
molecular beam epitaxy
SINGLE-CRYSTAL GAN
I-N PHOTODIODES
HIGH-SPEED
PHOTOCONDUCTORS
ALXGA1-XN
SIMULATIONS
DETECTORS
SAPPHIRE
LAYERS
Photoluminescence and optical quenching of photoconductivity studies on undoped GaN grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 3, 页码: 228-232
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Harrison I
;
Bell A
;
Ansell BJ
;
Winser AJ
;
Cheng TS
;
Foxon CT
;
Kawabe M
收藏
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
photoluminescence
optical quenching of photoconductivity
native defect level
molecular beam epitaxy
N-TYPE GAN
DEEP-LEVEL DEFECTS
YELLOW LUMINESCENCE
MAGNETIC-RESONANCE
THIN-FILMS
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