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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29 作者:  Bi, KX;  Liu, HZ;  Chen, YQ;  Luo, F;  Shu, ZW 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 short channel devices  hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation   Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29 作者:  Bi, KX;  Liu, HZ;  Chen, YQ;  Luo, F;  Shu, ZW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/17 short channel devices  hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation   Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20 nm. 期刊论文 Nanotechnology, 2019 作者:  Kaixi Bi;  Huaizhi Liu;  Yiqin Chen;  Fang Luo;  Zhiwen Shu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/17 hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists  large area preparation  short chaneel devices   Preparation of graphene by chemical vapor deposition 期刊论文 New Carbon Materials, 2011, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 71-80 W. C. Ren; L. B. Gao; L. P. Ma; H. M. Cheng 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/04/13 Graphene  Preparation  Chemical vapor deposition  Transfer  few-layer graphene  epitaxial graphene  large-area  carbon  films  surfaces  nickel  phase