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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 A theory study of the multiplication characteristics of InP/InGaAs avalanche photodiodes with double multiplication layers and double charge layers 期刊论文 OPTICS COMMUNICATIONS, 2016, 卷号: 374, 页码: 114-118 作者:  Liu, GP;  Chen, WJ;  Liu, LS;  Jin, P;  Tian, YH 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/01/13 In0.53Ga0.47As/InP avalanche photodiodes (APD)  Dead space  Excess noise factor  Mean gain   Comparative studies of silicon photomultipliers and traditional vacuum photomultiplier tubes 期刊论文 CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: #REF! 作者:  Shi F(石峰);  Lv JG(吕军光);  Lu H(卢红);  Wang HY(王焕玉);  Ma YQ(马宇倩) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2016/04/11 silicon photomultiplier  SiPM  PMT  dark current  dark counts  excess noise factor   Comparative studies of silicon photomultipliers and traditional vacuum photomultiplier tubes 期刊论文 中国物理C, 2011, 期号: 1, 页码: 50-55 作者:  Shi F(石峰);  Lv JG(吕军光);  Lu H(卢红);  Wang HY(王焕玉);  Ma YQ(马宇倩) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/12/15 silicon photomultiplier  SiPM  PMT  dark current  dark counts  excess noise factor