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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single event effects in commercial FRAM and mitigation technique using neutron-induced displacement damage 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2019, 卷号: 92, 页码: 149-154 作者:  Wei, Jia-nan;  Guo, Hong-xia;  Zhang, Feng-qi;  He, Chao-hui;  Ju, An-an 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/11/19 Complementary metal oxide semiconductor process  Displacement damages  Ferroelectric random access memory  Latch-ups  Mitigation techniques  Parasitic bipolar transistors  Peripheral circuits  Single event effects   Highly uniform resistive switching characteristics of TiN/ZrO2/Pt memory devices 其他 2009-01-01 Sun, B.; Liu, Y. X.; Liu, L. F.; Xu, N.; Wang, Y.; Liu, X. Y.; Han, R. Q.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 bipolar memory circuits  electrodes  platinum  random-access storage  switching  thin films  titanium compounds  vacancies (crystal)  zirconium compounds  OXIDE DIODES