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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Topological polar structures in ferroelectric oxide films 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 129, 期号: 20 作者:  Tang, Y. L.;  Zhu, Y. L.;  Ma, X. L. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/10/14 Ferroelectric films  High resolution transmission electron microscopy  Magnetic materials  Nanotechnology  Strain  Textures  Topology  Aberration-corrected  Continuous rotation  Depolarization fields  Dzyaloshinskii-Moriya interaction  External strains  Ferroelectric oxides  Relaxation mechanism  Skyrmion lattices   Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in si crystal 期刊论文 Physica b-condensed matter, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204 作者:  Zhao, Mingshu;  Dong, Juncai;  Chen, Dongliang 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/04/23 Silicon doping  Local lattice distortion  Strain relaxation mechanism  Charge localization  Dft   Anomalous radial and angular strain relaxation around dilute p-, isoelectronic-, and n-type dopants in Si crystal 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2017, 卷号: 506, 页码: 198-204 作者:  Dong, JC;  Chen DL(陈栋梁);  Dong JC(董俊才);  Zhao, MS;  Chen, DL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/08/27 Silicon doping  Local lattice distortion  Strain relaxation mechanism  Charge localization  DFT   Anharmonicity and local lattice distortion in strained Ge-dilute Si1-xGex alloy 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 653, 页码: 117-121 作者:  Dong JC(董俊才);  Guo ZY(郭志英);  Zhang XL(张晓丽);  An PF(安鹏飞);  Gong Y(宫宇) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/04/18 Anharmonicity  Local lattice distortion  Substrate effect  Strain relaxation mechanism  Si1-xGex alloy   Oxygen segregation and Ge diffusion in annealed oxygen ion-implanted relaxed SiGe/Si heterostructures 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2004, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 207-212 An, ZH; Zhang, M; Fu, RKY; Chu, PK; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAIN RELAXATION  ELECTRON  MECHANISM  HYDROGEN  MOSFETS  LAYER