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科研机构
半导体研究所 [3]
上海大学 [2]
金属研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2015 [2]
2002 [4]
学科主题
半导体材料 [2]
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溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究
期刊论文
人工晶体学报, 2015, 卷号: 44, 页码: 857-862
作者:
时彬彬[1]
;
闵嘉华[2]
;
梁小燕[3]
;
张继军[4]
;
王林军[5]
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/04/26
溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 PICTS traveling solvent melting zone method Cd0.9Zn0.1Te IR transmittance PICTS
Investigation of structural defects in In-doped CdZnTe under different in-situ annealing cooling rates
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 426, 页码: 270-275
作者:
Xing, Xiaobing[1]
;
Min, Jiahua[2]
;
Liang, Xiaoyan[3]
;
Zhang, Jijun[4]
;
Wang, Linjun[5]
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/04/26
CdZnTe
Structure defects
In-situ annealing
Cooling rate
PICTS
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating inp wafers
期刊论文
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524
作者:
Zhao, YW
;
Sun, NF
;
Dong, HW
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524
作者:
Zhao, YW
;
Sun, NF
;
Dong, HW
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2021/02/02
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 521-524
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:82/19
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提交时间:2010/08/12
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
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