QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 A comparative study of influence of fluidized conditions on sticking time during reduction of Fe2O3 particles with CO 期刊论文 POWDER TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 225, 期号: 0, 页码: 1-6 作者:  Zhang, Ben;  Wang, Zhi;  Gong, Xuzhong;  Guo, Zhancheng 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/10/16 Iron oxide  Fluidized bed  Sticking time  Metallization ratio   Resistive switching characteristics of Ni/HfO2/Pt ReRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Zhang, Xiao 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10 Conducting filament  Conductive filaments  Forming process  Good data  HfO2  Memory performance  Non-volatile memory application  On/off ratio  Programmable metallization cells  Resistive random access memory  Resistive switching  Switching parameters   Relation between Sticking and Metallic Iron Precipitation on the Surface of Fe2O3 Particles Reduced by CO in the Fluidized Bed 期刊论文 ISIJ INTERNATIONAL, 2011, 卷号: 51, 期号: 9, 页码: 1403-1409 作者:  Zhang, Ben;  Gong, Xuzhong;  Wang, Zhi;  Guo, Zhancheng 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/11/28 sticking  fluidized bed  reduction degree  metallization ratio  iron ore