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| 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 期刊论文
电子器件, 2018, 卷号: 41, 页码: 1367-1371
作者: 蔡剑辉[1]; 陈治西[2]; 刘晨鹤[3]; 张栋梁[4]; 刘强[5]
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| 基于CVD法制备的单层二硫化钼的光电晶体管特性研究 期刊论文
仪表技术与传感器, 2018, 期号: 3, 页码: 10-13
作者: 杨启志[1]; 方佳佳[2]; 王权[3]
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/24
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| 具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 页码: 543-549
作者: 刘强[1]; 蔡剑辉[2]; 何佳铸[3]; 王翼泽[4]; 张栋梁[5]
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/04/24
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| 杂质对二硫化钼场效应晶体管磁滞效应的影响 期刊论文
电子元件与材料, 2017, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 52-55
作者: 方佳佳[1]; 杨启志[2]; 王权[3]
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/24
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| A simulation analysis of performance of both implanted doping and in situ doping ETSOI PMOSFETs 期刊论文
2015, 卷号: 0, 期号: 4, 页码: 180-184
作者: Feng S(冯帅); Zhao LC(赵利川); Zhang QZ(张青竹); Yang PP(杨鹏鹏); Tang ZY(唐兆云)
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/05
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| 高重复频率触发模式皮秒扫描相机 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB20050300W&dbname=CJFQ2005, 2012, 2012
郭宝平; B.Cunin; 牛憨笨
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/06/15
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| 高重复频率触发模式皮秒扫描相机 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB20050300W&dbname=CJFQ2005, 2012, 2012
郭宝平; B.Cunin; 牛憨笨
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/06/19
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| MOS电流模逻辑电路的设计方法和流程 期刊论文
2012, 期号: 14, 页码: 133-133
作者: 廖安平; 梁蓓
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/31
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| 新型MOS晶体管式压力传感器 会议论文
第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集, 第十届全国敏感元件与传感器学术会议, 中国北京, CNKI, 全国敏感元件与传感器学术团体联合组织委员会
张艳红; 刘理天; 张兆华; 谭智敏; 林惠旺; ZHANG Yan-hong; LIU Li-tian; ZHANG Zhao-hua; TAN Zhi-min; LIN Hui-wang
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| 版图结构对MOS器件总剂量辐照特性的影响(英文) 期刊论文
2010, 2010
李冬梅; 皇甫丽英; 勾秋静; 王志华; Li Dongmei; Huangfu Liying; Gou Qiujing; Wang Zhihua
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