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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13 作者:  Wang, Xinhua;  Zhang, Yange;  Huang, Sen;  Yin, Haibo;  Fan, Jie 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2021/04/26 GaN  first-principles  formation mechanism of crystallized Si2N2O  interface editing  LPCVD-SiNx  near-conduction band states   LPCVD SiNx/AlGaN/GaN MISHEMTs器件界面态与电流崩塌现象的研究 学位论文 2017 作者:  余堃 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN MISHEMTs  LPCVD SiNx  界面态  电流崩塌  钝化   Study of Interface Traps in AlGaN/GaN MISHEMTs Using LPCVD SiNx as Gate Dielectric 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 824-831 作者:  Lu, Xing;  Yu, Kun;  Jiang, Huaxing;  Zhang, Anping;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26 low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) SiNx  interface traps  current collapse  passivation  AlGaN/GaN MIS high electron mobility transistors (MISHEMTs)   Investigation of the interface traps and current collapse in LPCVD SiNx/AlGaN/GaN MISHEMTs 会议论文 作者:  Yu, Kun;  Liu, Chao;  Jiang, Huaxing;  Lu, Xing;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN MIS-HEMTs  Current collapse  I-V measurements  Interface traps  LPCVD SiNx  Metal insulator semiconductor high electron mobility transistors (MISHEMT)  Passivation layer  Plasma enhanced chemical vapor depositions (PE CVD)   沉积温度对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 5，1553-1557 作者:  王小波;  董立军;  陈大鹏;  刘渝珍 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 Lpcvd  纳米硅镶嵌结构  Sinx薄膜  可见荧光