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Observation of sunspots at He I 10830 angstrom using a low-noise InGaAs infrared detector
会议论文
Nantong, PEOPLES R CHINA, 2022-09-17
作者:
Sun, Bai-Cheng
;
Xiang, Yong-Sheng
;
Fan, Ming-Guo
;
Gong, Xiao-Xia
;
Wang B(王斌)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2023/07/17
He I 10830 angstrom
InGaAs
Detector
Flat Field
Sunspot monochromatic image
用于天文观测的InGaAs近红外探测器性能测试方法
期刊论文
红外与毫米波学报/Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 卷号: 41, 期号: 06, 页码: 1002-1008
作者:
孙佰成
;
郭杰
;
许方宇
;
范明国
;
龚晓霞
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2023/01/23
红外天文
InGaAs红外探测器
转换因子
读出噪声
暗电流
一种引力波探测用高灵敏度四象限光电探测器
期刊论文
半导体光电, 2021, 卷号: 42, 期号: 02, 页码: 174-178
作者:
崔大健
;
李星海
;
余沛玥
;
陈扬
;
任丽
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/08/25
四象限光电探测器
引力波
InGaAs PIN
等效噪声功率密度
跨阻放大器
Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
期刊论文
Nanotechnology, 2021, 卷号: 32, 期号: 14
作者:
Guo,Yanan
;
Liu,Dong
;
Miao,Chengcheng
;
Sun,Jiamin
;
Pang,Zhiyong
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2021/03/29
Ambipolar Transport
Field-effect Transistors
Ingaas Nanowires
Cmos-compatible Catalyst
Surface State
Near-infrared Photodetection
Degradation characteristics of electron and proton irradiated InGaAsP/InGaAs dual junction solar cell
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 1-7
作者:
Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1,2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 1,3 ]
;
Tan, M (Tan, M.)[ 4 ]
;
Wu, YY (Wu, Y. Y.)[ 4 ]
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2020/04/21
InGaAsP/InGaAs solar cell
Electron and proton irradiation
Degradation
Equivalent displacement damage dose model
Optoelectronic Performance Analysis of Low-Energy Proton Irradiation and Post-Thermal Annealing Effects on InGaAs Solar Cell
期刊论文
FRONTIERS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 1-7
作者:
Zhuang, Y (Zhuang, Y.)[ 1 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ]
;
Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 2,3 ]
;
Fang, L (Fang, L.)[ 4 ]
;
Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2,3 ]
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2021/01/05
InGaAs solar cell
proton irradiation
displacement damage
degradation
annealing
InGaAs/graphene infrared photodetectors with enhanced responsivity
期刊论文
Materials Research Express, 2019, 卷号: 6, 期号: 11
作者:
Yang,Qi
;
Wu,Qiming
;
Luo,Wei
;
Yao,Wei
;
Yan,Shunya
收藏
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2019/12/03
graphene
InGaAs
infrared photodetectors
responsivity
Triangular nanoperforation and band engineering of InGaAs quantum wells: a lithographic route toward Dirac cones in III-V semiconductors
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30
作者:
Post, L. C.[1]
;
Xu, T.[2]
;
Vergei, N. A. Franchina[3]
;
Tadjine, A.[4]
;
Lambert, Y.[5]
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/04/22
InGaAs quantum well
honeycomb semiconductor
dirac cone
electron beam lithography
band structure engineering
lattice disorder
Optical properties improvement of InGaAs/GaInP single quantum well grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OPTIK, 2019, 卷号: Vol.176, 页码: 295-301
作者:
Yuan, Huibo
;
Li, Lin
;
Zhang, Jing
;
Li, Zaijin
;
Zeng, Lina
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/12/17
InGaAs/GaInP
QW
Ultra-thin
interlayers
MOCVD
Photoluminesce
PL
quenching
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
ACS PHOTONICS, 2019, 卷号: 6, 页码: 1990-1995
作者:
Yu, Qingnan
;
Zheng, Ming
;
Tai, Hanxu
;
Lu, Wei
;
Shi, Yue
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/30
InGaAs/GaAs
strains
quantum confined lasers
indium-rich clusters
dual wavelengths
polarization
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