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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究 会议论文 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议, 苏州, 2015-10-30 作者:  刘建勋;  梁红伟;  夏晓川;  黄火林;  柳阳 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09 GaN  非故意掺杂  高阻  InGaN插入层