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Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
ACS PHOTONICS, 2019, 卷号: 6, 页码: 1990-1995
作者:
Yu, Qingnan
;
Zheng, Ming
;
Tai, Hanxu
;
Lu, Wei
;
Shi, Yue
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/30
InGaAs/GaAs
strains
quantum confined lasers
indium-rich clusters
dual wavelengths
polarization
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:
Q.N.Yu
;
M.Zheng
;
H.X.Tai
;
W.Lu
;
Y.Shi
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/08/24
InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics
In_xGa(1-x)As/GaAs异质薄膜的临界厚度
期刊论文
2018, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 8166-8171
作者:
罗子江
;
倪照风
;
崔潇
;
郭祥
;
丁召
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/01/02
InGaAs/GaAs异质薄膜
临界厚度
生长温度
As
BEP
Effects of Strain in Low-Dimensional Semiconductor Structures
期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 9, 页码: 1066-1082
作者:
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Liu, Y.
;
Cheng, S. Y.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/11/21
GaAs
Quantum Wells
Nanowires
ZnO
Si
InGaN
Strain
Ge
GaN
InN
InGaAs
Quantum Dots
Measurements of loss and gain of optically pumped InGaAs semiconductor lasers based on the photoluminescence spectra from dual facets
会议论文
AOPC 2017: LASER COMPONENTS, SYSTEMS, AND APPLICATIONS, 2017-01-01
作者:
Jia, Y.
;
Yu, Q-N
;
Lu, W.
;
Zhang, J.
;
Zhang, X.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/30
Gain and loss
optical pump
InGaAs/GaAs quantum well lasers
InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2016
Ji, Xianghai
;
Yang, Xiaoguang
;
Du, Wenna
;
Pan, Huayong
;
Luo, Shuai
;
Ji, Haiming
;
Xu, H. Q.
;
Yang, Tao
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
nanowires
core-shell heterostructure
InAs/GaSb
metal-organic chemical vapor deposition
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
III-V NANOWIRES
INASSB NANOWIRES
INGAAS NANOWIRES
GAAS NANOWIRES
PHASE EPITAXY
DEFECT-FREE
HETEROSTRUCTURES
LUMINESCENCE
SILICON
两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质
期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者:
韩智明
;
缪国庆
;
曾玉刚
;
张志伟
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/07/06
两步生长法
GaAs
InGaAs
MOCVD
Spin-orbit coupling effects on the in-plane optical anisotropy of semiconductor quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23
作者:
Yu Jin-Ling
;
Chen Yong-Hai
;
Lai Yun-Feng
;
Cheng Shu-Ying
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/21
in-plane optical anisotropy
InGaAs/InP quantum well
GaAs/AlGaAs quantum well
spin-orbit coupling
Ripening of single-layer InGaAs islands on GaAs(001)
期刊论文
2013, 期号: 2, 页码: 381-384
作者:
刘珂
;
周清
;
周勋
;
郭祥
;
罗子江
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/02
InGaAs
GaAs(001)
岛屿
成熟
扫描隧道显微镜
退火时间
单层
表面形态
自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较
期刊论文
2011, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 82-84
作者:
何浩
;
贺业全
;
杨再荣
;
罗子江
;
周勋
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/31
MBE
RHEED
InAs/GaAs
InGaAs/GaAs
自组装
退火
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