CORC

浏览/检索结果: 共89条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2019, 卷号: 6, 页码: 1990-1995
作者:  Yu, Qingnan;  Zheng, Ming;  Tai, Hanxu;  Lu, Wei;  Shi, Yue
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/30
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output 期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:  Q.N.Yu;  M.Zheng;  H.X.Tai;  W.Lu;  Y.Shi
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/08/24
In_xGa(1-x)As/GaAs异质薄膜的临界厚度 期刊论文
2018, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 8166-8171
作者:  罗子江;  倪照风;  崔潇;  郭祥;  丁召
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/02
Effects of Strain in Low-Dimensional Semiconductor Structures 期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 9, 页码: 1066-1082
作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Liu, Y.;  Cheng, S. Y.
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/11/21
GaAs  Quantum Wells  Nanowires  ZnO  Si  InGaN  Strain  Ge  GaN  InN  InGaAs  Quantum Dots  
Measurements of loss and gain of optically pumped InGaAs semiconductor lasers based on the photoluminescence spectra from dual facets 会议论文
AOPC 2017: LASER COMPONENTS, SYSTEMS, AND APPLICATIONS, 2017-01-01
作者:  Jia, Y.;  Yu, Q-N;  Lu, W.;  Zhang, J.;  Zhang, X.
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/30
InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2016
Ji, Xianghai; Yang, Xiaoguang; Du, Wenna; Pan, Huayong; Luo, Shuai; Ji, Haiming; Xu, H. Q.; Yang, Tao
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2017/12/03
两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者:  韩智明;  缪国庆;  曾玉刚;  张志伟
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2016/07/06
Spin-orbit coupling effects on the in-plane optical anisotropy of semiconductor quantum wells 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23
作者:  Yu Jin-Ling;  Chen Yong-Hai;  Lai Yun-Feng;  Cheng Shu-Ying
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/11/21
Ripening of single-layer InGaAs islands on GaAs(001) 期刊论文
2013, 期号: 2, 页码: 381-384
作者:  刘珂;  周清;  周勋;  郭祥;  罗子江
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/02
自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较 期刊论文
2011, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 82-84
作者:  何浩;  贺业全;  杨再荣;  罗子江;  周勋
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/31


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace