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Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
;
Xiao-hua Ma
;
Yue Hao
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
收藏
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/20
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
InAlN/GaN异质结横向组分不均匀散射机制的研究
学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:
陈谦
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/20
InAlN/GaN异质结
AlGaN插入层
导带波动散射
HEMT
Mechanism of Buffer-Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Jing
;
Huang, Zhongxiao
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
AlGaN/GaN HEMT
Current Collapse
Traps
Compact and Efficient Wideband Variable Gain LNA MMIC on InGaAs pHEMT
会议论文
PROCEEDINGS OF 2019 16TH INTERNATIONAL BHURBAN CONFERENCE ON APPLIED SCIENCES AND TECHNOLOGY (IBCAST), 2019-01-01
作者:
Dilshad, Umar
;
Chen, Chen
;
Miao, Jungang
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/30
Variable Gain Amplifier (VGA)
Low Noise Amplifier (LNA)
Voltage Controlled Amplifier
VGLNA
MMIC
GaAs
p-HEMT
wideband
Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63
作者:
Hu, P. P.
;
Liu, J.
;
Zhang, S. X.
;
Maaz, K.
;
Zeng, J.
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/10/08
GaN
HEMT
Swift heavy ion
Latent track
Electrical characteristics
C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析
期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 11, 页码: 2797-2802
作者:
董帅
;
王振占
;
李彬
;
陆浩
;
贺秋瑞
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/03/05
有源微波冷噪声源
辐射计
定标
HEMT
TCAD Simulation for nonresonant terahertz detector based on double-channel GaN/AlGaN high-electron-mobility transistor
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 页码: 4807-4813
作者:
Meng, Qingzhi
;
Lin, Qijing
;
Jing, Weixuan
;
Han, Feng
;
Zhao, Man
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/11/19
Computational model
Double channel
High electron mobility transistor (HEMT)
Noise equivalent power
Nonresonant
Photoresponses
Responsivity
Terahertz detectors
金刚石衬底氮化镓 HEMT大功率器件热分析
学位论文
2018
作者:
陈旭东
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/26
GaN-on-diamond HEMT
大功率
热效应
有限元建模
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