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半导体研究所 [2]
物理研究所 [1]
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内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:121/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3726
Zhu, XL
;
Guo, LW
;
Peng, MZ
;
Ge, BH
;
Zhang, J
;
Ding, GJ
;
Jia, HQ
;
Chen, H
;
Zhou, JM
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FUNDAMENTAL-BAND GAP
CUBIC INN
BUFFER
MBE
Elastic and thermodynamic properties of c-BN from first-principles calculations
期刊论文
Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 217-222
Y. J. Hao
;
Y. Cheng
;
Y. J. Wang
;
X. R. Chen
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/04/13
elastic constants
thermodynamic properties
local density
approximation
c-BN
cubic boron-nitride
superconducting mgb2
zincblende bn
constants
phase
aln
gan
transition
pressure
inn
High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279
Wu MF
;
Zhou SQ
;
Vantomme A
;
Huang Y
;
Wang H
;
Yang H
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
BAND-GAP
EPITAXIAL LAYERS
INDIUM NITRIDE
HEXAGONAL INN
CUBIC INN
GROWTH
PARAMETERS
INGAN
PHASE
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