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| 工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计 期刊论文
2012, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 72-75
作者: 魏全; 傅兴华; 王元发
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| FinFET器件的集约阈电压模型(英文) 期刊论文
2010, 2010
张大伟; 田立林; 余志平; Zhang Dawei; Tian Lilin; Yu Zhiping
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| 考虑量子效应的双栅MOSFET的阈电压解析建模(英文) 期刊论文
2010, 2010
张大伟; 田立林; 余志平; Zhang Dawei; Tian Lilin; Yu Zhiping
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| 总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669
作者: 李爱武; 余学峰 ; 任迪远; 汪东; 匡治兵
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| 沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响 其他
2005-01-01
吴涛; 刘晓彦; 杜刚; 康晋锋; 韩汝琦
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| 低电压模拟集成电路设计技术 期刊论文
2004, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 451-454
作者: 徐跃; 傅兴华
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| 氧、氮杂质气体对漂移室讯号特性的影响 期刊论文
高能物理与核物理, 1986, 期号: 1, 页码: 112-115
作者: 王运永; 卢新华; 宣百辞; 谢佩佩; 马基茂
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