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| 星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 崔江维
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| 星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 崔江维
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| 超深亚微米SiGe SOI MOSFETs的特性研究 学位论文 : 西安理工大学, 2008 作者: 孙立伟
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| 微纳级双极晶体管的热耗散研究 期刊论文 微纳电子技术, 2006, 期号: 10, 页码: 461-463+475 作者: 侯志刚; 李惠军; 许新新
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| 集成电路可制造性设计中器件参数的提取 期刊论文 微纳电子技术, 2005, 期号: 12, 页码: 578-582 作者: 霍林; 郭琦; 李惠军
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| 自对准硅化物工艺研究 期刊论文 微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 631-635,639 作者: 万春明; 王大海; 徐秋霞
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| 抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench--TCAD优化 期刊论文 半导体技术, 2004, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 12-14+29 作者: 李静; 李惠军
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| 基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003 陈松涛; 刘晓彦; 杜刚; 韩汝琦
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| ULSI亚0.1μm器件对超浅结的需求和相关离子掺杂新技术的发展 其他 2001-01-01 何进; 张兴; 黄如; 杨岩
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