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科研机构
新疆理化技术研究所 [4]
北京大学 [1]
内容类型
学位论文 [4]
期刊论文 [1]
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2019 [2]
2012 [2]
2006 [1]
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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:
赵京昊
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浏览/下载:239/0
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提交时间:2019/07/15
电离总剂量辐射
热载流子效应
栅氧经时击穿
负偏置温度不稳定性
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
赵京昊
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/07/15
电离总剂量辐射
热载流子效应
栅氧经时击穿
负偏置温度不稳定性
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
崔江维
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/05/10
超深亚微米器件
总剂量辐射
热载流子效应
负偏置温度不稳定性
相互作用
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
崔江维
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/05/10
超深亚微米器件
总剂量辐射
热载流子效应
负偏置温度不稳定性
相互作用
具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究
期刊论文
物理学报, 2006
萨宁
;
康晋锋
;
杨红
;
刘晓彦
;
张兴
;
韩汝琦
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/11
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型
high-K gate dielectric
negative bias temperature instability (NBTI)
reaction-diffusion (R-D) model
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