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用于高含硫气田的镍基合金管材服役后局部腐蚀的成因 期刊论文
天然气工业, 2017, 卷号: 37, 页码: 93-98
作者:  郭强;  何琪;  孙乔;  于浩波;  陈长风
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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
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由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
输气管道内腐蚀的监测方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200710051071.4, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2008-10-08
张仕强; 黄彦良; 王雨生; 于青; 郑凤; 李言涛; 申洪; 杨锦林; 杨强
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一种热浸镀层腐蚀性能评价方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN03133920.4, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2005-03-09
作者:  张杰
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仪征化纤化工厂腐蚀情况调查 期刊论文
腐蚀科学与防护技术, 2000, 期号: 6, 页码: 364-365
张亚明,李晓东,李美栓,王云翔,李爱民,韩成林
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PVP袋装输液吸附硝酸甘油实验研究 期刊论文
中国现代应用药学, 1998, 期号: 5, 页码: 69-70
作者:  马占颖;  郭辉;  夏文斌
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略谈女青少年性犯罪的防控措施 期刊论文
1992, 期号: 2, 页码: 21-23
作者:  朱珠
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湿度对真空镀铝和湿法镀银玻璃镜性能的影响 期刊论文
腐蚀科学与防护技术, 1990, 期号: 4, 页码: 53-55
作者:  程发泉;  胡季平;  亢效虎
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