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国际正渗透膜技术研讨会IFOS2016回顾:正渗透可行吗? 期刊论文
化工学报, 2018, 卷号: 69, 页码: 1255-1260
作者:  赵书威[1];  何涛[2];  李雪梅[3];  高从堦[4];  Ho Kyong Shon[5]
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/04/22
技术选择、产业结构升级与经济增长——基于半参数空间面板向量自回归模型的研究 期刊论文
经济经纬, 2017, 卷号: 第5期, 页码: 87-92
作者:  陈生明;  张亚斌;  陈晓玲
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
苹果采摘机器人视觉系统研究 学位论文
2017
作者:  李强
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/11/05
ZKB2460直线振动筛的设计 期刊论文
http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=MKJX200212009&dbname=CJFQ2002, 2014, 2014
张建勋; 王辉; 周明; 白书亚
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2017/06/15
基于多元时间序列的关联分析及预测方法研究 学位论文
: 大连理工大学, 2012
作者:  李德才
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/18
芦丁分子印迹聚合物分离选择性规律的研究 会议论文
2011
作者:  陈振斌;  于惠;  付瑜
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/15
钛合金航空结构件切削加工研究 学位论文
2011
作者:  秋晨
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/10
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
新蚁群算法在烷基酚类化合物的QSAR中变量选择的研究 期刊论文
《计算机与应用化学》, 2009, 页码: 803-806
作者:  费红琳[1];  张永清[1]
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/04/29
折流杆换热器的数值模拟及相关结构参数选择 期刊论文
化工机械, 2009, 卷号: 36, 页码: 123-127
作者:  严良文[1];  潘雷[2];  阚树林[3]
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/04/30


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