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基于SI-GaAs自击穿样品产生高压重频纳秒脉冲的研究 学位论文
: 西安理工大学, 2018
作者:  梁晓艳
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20
利用半绝缘砷化镓体雪崩产生高压高重频纳秒电脉冲的研究 学位论文
: 西安理工大学, 2017
作者:  王力
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20
半绝缘GaAs体雪崩纳秒脉冲输出特性研究 学位论文
: 西安理工大学, 2017
作者:  高凤祥
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20
Nb:SrTiO3/ZnO外延异质结的整流效应研究 学位论文
: 河南大学, 2016
作者:  韩明[1]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23
CZTSSe薄膜太阳能电池的组装及性能研究 会议论文
中国化学会第30届学术年会-第四十二分会：能源纳米材料物理化学, 2016-07-01
作者:  武四新[1];  赵丹丹[2];  郭靖[3];  樊青苗[4];  齐亚芳[5]
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23
基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征 学位论文
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  荣梓清
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2016/04/27
由于给体片段（D）和受体片段（A）间的电荷转移  D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙  且分子偶极矩较大  分子间相互作用较强  利于获得高的载流子迁移率  因此  D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面  稠环分子由于具有刚性平面的构型  重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此  本文以二噻吩并[2  3-b:7  6-b]咔唑（C1）和二噻吩并[3  2-b:6  7-b]咔唑（C2）两个稠环单元作为给体片段  苯并噻二唑（BT）单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物  并且对它们的光物理性质  电化学性质  载流子传输和光伏特性进行了系统研究  主要成果和创新点如下： （1）合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2)  它们均是无定形聚合物。 尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别  但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。 通过理论模拟可以发现  两个聚合物骨架构象完全不同  P(BT-C1)的骨架较为弯曲  而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此  基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管（OTFT）的迁移率较高  达到5.4×10-3 cm2V-1s-1  而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低  为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右  因此  基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池（OSC）器件的开路电压（Voc）明显高于P(BT-C1)  而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显  导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度（Jsc）和填充因子（FF）较高  两个聚合物的能量转换效率（PCE）相差不多  均在5%左右。 （2）以C2为给体单元  BT和二氟代BT为受体单元  合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比  P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性  HOMO能级升高  光谱红移。在BT单元上引入F原子后  聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV  同时帯隙变窄。 理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善  但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显  基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低  PCE均小于2%。  
补偿硅材料深能级（Au、Cu、Mn、Ni、Pt）掺杂制备及热敏特性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  范艳伟
收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2014/08/05
补偿硅材料深能级（Au、Cu、Mn、Ni、Pt）掺杂制备及热敏特性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014
作者:  范艳伟
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2014/08/05
PICTS 测试CdZnTe 晶体中深能级缺陷 期刊论文
人工晶体学报, 2014, 卷号: 43, 页码: 829-833
作者:  
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30
砷化镓团簇缺陷及光电特性研究 学位论文
: 西安理工大学, 2014
作者:  
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20

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