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| 六方氮化硼基摩擦界面设计 与 摩擦行为研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2022 作者: 白常宁
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| 直流脉冲空心阴极离子渗氮研究 学位论文 : 大连理工大学, 2013 作者: 马夺
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| 磁控溅射HfO2-TiO2高K栅介质薄膜的研究 学位论文 2009 作者: 李国兴
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| 抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs 期刊论文 功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4,71-74 作者: 海潮和; 韩郑生 ; 钱鹤; 赵洪辰
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| 超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5,651-655 作者: 钟兴华; 吴峻峰; 杨建军; 徐秋霞
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| 超薄层SiOxNy栅介质薄膜的制备与研究进展 期刊论文 河北大学学报(自然科学版), 2005, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 673-679 作者: 张弘[1]; 范志东[2]; 田书凤[3]; 彭英才[4]
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| 一种抗总剂量辐照的NMOSFETs 期刊论文 电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 578-580 作者: 韩郑生 ; 赵洪辰; 海潮和; 钱鹤
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| F1ash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 4,516-519 作者: 李明; 欧文; 钱鹤
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| SiO2—Si3N4栅介质膜陷阱特性的高频C—V分析 期刊论文 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 236 作者: 黄君凯; 易清明; 刘伟平; 钟雨乐; 张坤
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| 多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法 期刊论文 半导体学报, 2001 高文钰; 刘忠立; 于芳; 张兴
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