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| 六方氮化硼基摩擦界面设计 与 摩擦行为研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2022
作者: 白常宁
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| 直流脉冲空心阴极离子渗氮研究 学位论文
: 大连理工大学, 2013
作者: 马夺
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/13
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| 磁控溅射HfO2-TiO2高K栅介质薄膜的研究 学位论文
2009
作者: 李国兴
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/18
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| 抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs 期刊论文
功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4，71-74
作者: 海潮和; 韩郑生 ; 钱鹤; 赵洪辰
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2010/05/26
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| 超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5，651-655
作者: 钟兴华; 吴峻峰; 杨建军; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2010/05/26
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| 超薄层SiOxNy栅介质薄膜的制备与研究进展 期刊论文
河北大学学报（自然科学版）, 2005, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 673-679
作者: 张弘[1]; 范志东[2]; 田书凤[3]; 彭英才[4]
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/31
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| 一种抗总剂量辐照的NMOSFETs 期刊论文
电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 578-580
作者: 韩郑生; 赵洪辰; 海潮和; 钱鹤
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2010/05/26
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| F1ash器件中氧化硅／氮化硅／氧化硅的特性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 4，516-519
作者: 李明; 欧文; 钱鹤
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2010/05/25
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| SiO2—Si3N4栅介质膜陷阱特性的高频C—V分析 期刊论文
2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 236
作者: 黄君凯; 易清明; 刘伟平; 钟雨乐; 张坤
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/10
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| 多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法 期刊论文
半导体学报, 2001
高文钰; 刘忠立; 于芳; 张兴
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/12
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