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总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:  赵京昊
收藏  |  浏览/下载:239/0  |  提交时间:2019/07/15
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  赵京昊
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/07/15
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  崔江维
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2016/05/10
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  卢健
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2016/05/10
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  崔江维
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2016/05/10
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  卢健
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2016/05/10
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 期号: 8, 页码: 601-605
作者:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2012/11/29
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  李茂顺
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2016/05/26
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  李茂顺
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2016/05/26
电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响 期刊论文
《微电子学》, 2010, 卷号: 40, 页码: 440-443
作者:  刘远[1,2];  李斌[2];  何玉娟[2,3]
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/04/26


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