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| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2019 作者: 赵京昊
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| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 赵京昊
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 崔江维
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| 静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 卢健
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| 星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 崔江维
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2016/05/10
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| 静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 卢健
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| 不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文 核技术, 2012, 期号: 8, 页码: 601-605 作者: 卢健; 余学峰 ; 李明; 张乐情; 崔江维
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| 静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 李茂顺
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| 静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 李茂顺
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2016/05/26
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| 电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响 期刊论文 《微电子学》, 2010, 卷号: 40, 页码: 440-443 作者: 刘远[1,2]; 李斌[2]; 何玉娟[2,3]
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