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| 铁磁半导体 花落两维里 期刊论文 物理, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 670-675 作者: 韩拯; 杨腾
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| 背栅黑磷场效应晶体管的制备及电学特性研究 学位论文 : 江苏大学, 2017 作者: 郑波[1]
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| 石墨烯场效应管射频、光电器件与电路研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 毛旭瑞
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| 600V功率VD-MOSFET器件仿真 学位论文 : 大连理工大学, 2013 作者: 谢承飞
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/13
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| 碳纳米管场效应型DMMP气敏传感器研究 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=BDTQ201201013&dbname=CJFQ2012, 2012, 2012 陈海燕; 陈长鑫; 戴振清; 杨志; 魏良明; 徐东; 张亚非
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| 栅极的不同施加位置对有机分子场效应器件电输运性质的影响 期刊论文 济宁学院学报, 2012, 期号: 03, 页码: 9-12 作者: 徐玉庆; 李冬梅; 崔彬; 冀国敏; 杜威
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| 酞菁在有机场效应晶体管方面的研究进展 期刊论文 大学化学, 2008, 期号: 03, 页码: 1-7 作者: 马盼; 姜建壮
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| 碳化硅电力电子器件研发新进展 会议论文 中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会, 秦皇岛, 2004-09-01 作者: 陈治明
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| 纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2003 何进; 张兴; 黄如
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/10/23
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| 体硅衬底上的CMOS FinFET 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 6,351-356 作者: 殷华湘; 徐秋霞
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