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科研机构
兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1975 [1]
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为提高硅器件质量而进行的工艺措施
期刊论文
兰州大学学报, 1975, 期号: 3, 页码: 56-71
作者:
兰州大学物理系半导体专业赴宁光厂毕业实践队
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
阳极氧化:6424
工艺措施:5275
器件质量:3765
高频功率发生器:2583
光刻胶:1674
真空吸头:1401
结特性:1322
大学学报:1096
去胶:1093
二次氧化:1062
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