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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 期刊论文 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，1007-1012 作者:  韩郑生;  宋文斌;  许高博;  曾传滨 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅soi  Esd  源漏硅化物  二次击穿  导通电阻  栅接地nmos器件   平面型电力电子器件阻断能力的优化设计 期刊论文 2002, 卷号: 18, 页码: 154-158 作者:  安涛;  王彩琳 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 平面型电力电子器件  阻断能力  击穿电压  场限环  优化设计  体击穿器件