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苏州纳米技术与纳米仿... [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2017 [2]
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AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:
Zhang, Zhili(张志利)
;
Li, Weiyi
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guohao(于国浩)
;
Zhang, Xiaodong(张晓东)
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提交时间:2018/02/05
Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017
作者:
Zhang, Zhili(张志利)
;
Song, Liang
;
Li, Weiyi
;
Fu, Kai(付凯)
;
Yu, Guohao(于国浩)
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提交时间:2018/02/05
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