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科研机构
西安交通大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2016 [1]
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Effects of rapid thermal annealing on structural, chemical, and electrical characteristics of atomic-layer deposited lanthanum doped zirconium dioxide thin film on 4H-SiC substrate
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 365, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 296-305
作者:
Lim, Way Foong
;
Quah, Hock Jin
;
Lu, Qifeng
;
Mu, Yifei
;
Ismail, Wan Azli Wan
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提交时间:2019/12/02
Atomic layer deposition
Time-of-Flight secondary ion mass
Lanthanum doped zirconium oxide
X-ray photoelectron spectroscopy
Rapid thermal annealing
spectrometry
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