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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface trap characterization of Al2O3/GaN vertical-type MOS capacitors on GaN substrate with surface treatments 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 767, 页码: 600-605 作者:  Ren, Bing[1];  Sumiya, Masatomo[2];  Liao, Meiyong[3];  Koide, Yasuo[4];  Liu, Xinke[5] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22 GaN  Vertical-type MOS  Interface states   1.2 kV GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN wafer using a CMOS-compatible contact material 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 56 作者:  Liu, Xinke[1];  Liu, Qiang[2];  Li, Chao[3];  Wang, Jianfeng[4];  Yu, Wenjie[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 115-118 作者:  Wen, Jiao[1];  Liu, Qiang[2];  Liu, Chang[3];  Wang, Yize[4];  Zhang, Bo[5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/26 SiGe  Quantum-well  Ion-sensitive field-effect transistor  Voltage sensitivity   High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-kappa/metal-gate last process 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 210-215 作者:  Liu, Chang[1];  Wen, Jiao[2];  Yu, Wenjie[3];  Zhang, Bo[4];  Xue, Zhongying[5] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/26 SiGe  Quantum-well  Gate-last  Hole mobility