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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Phase-Transition-Induced VO2 Thin Film IR Photodetector and Threshold Switching Selector for Optical Neural Network Applications 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021 作者:  Zhou, Xi;  Zhao, Liang;  Zhen, Weili;  Lin, Yinyue;  Wang, Chunlin 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2021/05/06 neuromorphic computing  optical neural networks  photodetectors  threshold switching  vanadium dioxide   Omnidirectional and polarization-insensitive light absorption enhancement in an organic photovoltaic device using a one-dimensional nanograting 期刊论文 JOURNAL OF MODERN OPTICS, 2014, 卷号: 61, 页码: 1714-1722 作者:  Tian, Ximin[1];  Wang, Wenyan[2];  Hao, Yuying[3];  Lin, Yinyue[4];  Cui, Yanxia[5] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/30 organic solar cell  nanograting  light absorption  plasmonics  photonic mode   MEASUREMENTS OF DENSITY OF LOCALIZED STATES IN a-Si_xC_(1-x): H FILMS USING THE FIELD EFFECT METHOD 期刊论文 Science Bulletin, 1985, 期号: 2, 页码: 278-279 作者:  Wang YY(王印月);  Zhang FQ(张仿清);  Guo HL(郭华林);  Chen GH(陈光华) 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/06/24 hardly  localized  toward  raise  annealed  leakage  吏人  arise   用场效应法研究a-Si_xC_(1-x)_H薄膜的隙态密度 期刊论文 科学通报, 1984, 期号: 8, 页码: 511 作者:  王印月;  张仿清;  郭华林;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 场效应管:8755  隙态密度:4484  测量温度:1167  弱反型:1055  H膜:700  a-Si∶H:310  原理:273  测量结果:226  宽带隙:159  国内外:96