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Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2012, 卷号: 24, 期号: 43, 页码: 435803
Jayasinghe, RC
;
Lao, YF
;
Perera, AGU
;
Hammar, M
;
Cao, CF
;
Wu, HZ
收藏
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浏览/下载：19/0
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提交时间：2013/04/17
Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2012, 卷号: 24, 期号: 43, 页码: 435803
Jayasinghe, RC
;
Lao, YF
;
Perera, AGU
;
Hammar, M
;
Cao, CF
;
Wu, HZ
收藏
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浏览/下载：54/0
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提交时间：2013/05/10
Physics
Condensed Matter
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453
Gong, Q
;
Chen, P
;
Li, SG
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Xu, CF
;
Zhang, YG
;
Feng, SL（封松林）
;
Ma, CH
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453
Gong, Q
;
Chen, P
;
Li, SG
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Xu, CF
;
Zhang, YG（重点实验室）
;
Feng, SL(重点实验室）
;
Ma, CH
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2013/05/10
Crystallography
Materials Science
Physics
Multidisciplinary
Applied
Temperature dependence of photoluminescence from as-grown and plasma-etched InAs0.45P0.55/In0.68Ga0.32As0.45P0.55 strained single quantum well
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 491, 期号: 1-2, 页码: 595-598
Cao, M
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Liu, C
;
Hu, GJ
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浏览/下载：17/0
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提交时间：2012/03/24
SUPERLATTICES
LUMINESCENCE
EXCITONS
HETEROSTRUCTURES
ENHANCEMENT
DEPOSITION
EPITAXY
GAN
Temperature dependence of photoluminescence from as-grown and plasma-etched InAs0.45P0.55/In0.68Ga0.32As0.45P0.55 strained single quantum well
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 491, 期号: 41276, 页码: 595-598
Cao, M
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Liu, C
;
Hu, GJ
收藏
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浏览/下载：17/0
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提交时间：2013/05/10
Chemistry
Materials Science
Physical
Multidisciplinary
Metallurgy & Metallurgical Engineering
InAs0.45P0.55/InP strained multiple quantum wells intermixed by inductively coupled plasma etching
期刊论文
MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 2009, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 2217-2221
Cao, M
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Liu, C
收藏
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
INASP/INP
ENHANCEMENT
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
DEPENDENCE
DOTS
GAP
Submilliampare threshold 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1954-1958
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Wu, HZ
;
Cao, M
;
Gong, Q
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2012/03/24
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
OUTPUT POWER
QUANTUM-WELL
VCSELS
DIODES
Optical Investigations of Directly Wafer-Bonded InP-GaAs Heterojunctions
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 卷号: 156, 期号: 3, 页码: H220-H224
Lao, YF
;
Wu, HZ
;
Cao, M
;
Cao, CF
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2012/03/24
VERTICAL-CAVITY LASERS
FUSION
DESIGN
INTERFACE
JUNCTIONS
InAsP/InGaAsP quantum-well 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 105-106
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Wu, HZ
;
Cao, M
;
Gong, Q
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2012/03/24
LUMINESCENT PROPERTIES
VCSELS
MODULATION
POWER
INP
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