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| Manufacture of semiconductor light-emitting device 专利
专利号: JP1985102790A, 申请日期: 1985-06-06, 公开日期: 1985-06-06
作者: HIRANO RIYOUICHI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1984205788A, 申请日期: 1984-11-21, 公开日期: 1984-11-21
作者: SAKAKIBARA YASUSHI; HIRANO RIYOUICHI; HIGUCHI HIDEYO; OOMURA ETSUJI; NAMISAKI HIROBUMI
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| Manufacture of injection laser 专利
专利号: JP1984148382A, 申请日期: 1984-08-25, 公开日期: 1984-08-25
作者: SUZAKI WATARU; HIRANO RIYOUICHI; SAKAKIBARA YASUSHI
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| Manufacture of semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1984117288A, 申请日期: 1984-07-06, 公开日期: 1984-07-06
作者: HIRANO RIYOUICHI; OOMURA ETSUJI; HIGUCHI HIDEYO; SAKAKIBARA YASUSHI; NAMISAKI HIROBUMI
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| Liquid phase epitaxial growth 专利
专利号: JP1984068926A, 申请日期: 1984-04-19, 公开日期: 1984-04-19
作者: HIRANO RIYOUICHI; NAMISAKI HIROBUMI; SUZAKI WATARU; TANAKA TOSHIO
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1983225683A, 申请日期: 1983-12-27, 公开日期: 1983-12-27
作者: HIRANO RIYOUICHI; NAMISAKI HIROBUMI; SUZAKI WATARU
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| Manufacture of semiconductor wafer 专利
专利号: JP1983050791A, 申请日期: 1983-03-25, 公开日期: 1983-03-25
作者: SAKAKIBARA YASUSHI; NAMISAKI HIROBUMI; HIRANO RIYOUICHI; SUZAKI WATARU
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| Liquid phase epitaxial growth method of semiconductor 专利
专利号: JP1983046628A, 申请日期: 1983-03-18, 公开日期: 1983-03-18
作者: NAMISAKI HIROBUMI; SUZAKI WATARU; HIRANO RIYOUICHI
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| Structure of liquid-phase epitaxial grown layer 专利
专利号: JP1982204120A, 申请日期: 1982-12-14, 公开日期: 1982-12-14
作者: HIRANO RIYOUICHI; NAMISAKI HIROBUMI; SUZAKI WATARU
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