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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Carrier recombination dynamics in green InGaN-LEDs with quantum-dot-like structures 期刊论文 Journal of Materials Science, 2021, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1481-1491 作者:  M. Tian;  C. Ma;  T. Lin;  J. Liu;  D. N. Talwar 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/06/13 Polarization dependent infrared reflectivity studies of Si-doped MOCVD grown GaN/Sapphire epilayers 期刊论文 Materials Chemistry and Physics, 2020, 卷号: 252, 页码: 16 作者:  D. N. Talwar,H. H. Lin and Z. C. Feng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06 Anisotropic optical phonons in MOCVD grown Si-doped GaN/Sapphire epilayers 期刊论文 Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2020, 卷号: 260, 页码: 10 作者:  D. N. Talwar, H. H. Lin and Z. C. Feng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06