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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Large Tunneling Magnetoresistance in van der Waals Ferromagnet/Semiconductor Heterojunctions 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2021, 卷号: 33, 期号: 51, 页码: 2104658 作者:  Zhu, Wenkai;   Lin, Hailong;   Yan, Faguang;   Hu, Ce;   Wang, Ziao;   Zhao, Lixia;   Deng, Yongcheng;   Kudrynskyi, Zakhar R.;   Zhou, Tong;   Kovalyuk, Zakhar D.;   Zheng, Yuanhui;   Patane, Amalia;   Zutic, Igor;   Li, Shushen;   Zheng, Houzhi;   Wang, Kaiyou 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/03/28 Ferroelectric semiconductor junctions based on graphene/In2Se3/graphene van der Waals heterostructures 期刊论文 2D MATERIALS, 2021, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 45020 作者:  Xie, Shihong;   Dey, Anubhab;   Yan, Wenjing;   Kudrynskyi, Zakhar R.;   Balakrishnan, Nilanthy;   Makarovsky, Oleg;   Kovalyuk, Zakhar D.;   Castanon, Eli G.;   Kolosov, Oleg;   Wang, Kaiyou;   Patane, Amalia 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/03/24 Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 3 作者:  Wang, Yiming;  Zhang, Jiawei;  Liang, Guangda;  Shi, Yanpeng;  Zhang, Yifei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 Improved performance of InSe field-effect transistors by channel encapsulation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 6 作者:  Liang, Guangda;  Wang, Yiming;  Han, Lin;  Yang, Zai-Xing;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11 InSe  2D semiconductor  bias stress  PMMA encapsulation