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| Effect of stress layer on thermal properties of SnSe few layers 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: Vol.783, 页码: 226-231
作者: Xinke Liu; Zhiwen Li; Long Min; Yangfan Peng; Xinbo Xiong
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| 一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者: 王鑫华 ; 刘新宇; 黄森; 赵超; 王文武
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2018
作者: Wang WW(王文武); Zheng YK(郑英奎); Jiang HJ(蒋浩杰); Wei K(魏珂); Wang XH(王鑫华)
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| III族氮化物低损伤刻蚀方法 专利
专利号: CN201510868081.1, 申请日期: 2018-05-01, 公开日期: 2016-02-24
作者: 魏珂; 刘新宇; 黄森; 王鑫华
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者: Zheng YK(郑英奎); Liu GG(刘果果); Chen XJ(陈晓娟); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| Evolution of traps in TiN/O 3 -sourced Al 2 O 3 /GaN gate structures with thermal annealing temperature 期刊论文
Journal of Vacuum Science & Technology B, 2018
作者: Xiang JJ(项金娟); Liu XY(刘新宇); Huang S(黄森); Bao QL(包琦龙); Wang XH(王鑫华)
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2019/04/19 |
| Enteral nutrition feeding in Chinese intensive care units: a cross-sectional study involving 116 hospitals 期刊论文
CRITICAL CARE, 2018, 卷号: 22
作者: Xing, Juan; Zhang, Zhongheng; Ke, Lu; Zhou, Jing; Qin, Bingyu
收藏 | 浏览/下载：49/0 | 提交时间：2019/12/05
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| Application of Lode dependent fracture criterion in predicting fracture of 6061-T6511H aluminium alloy Taylor rods 期刊论文
2018, 卷号: 37, 页码: 142-149
作者: Yang, Qingnian[1]; Chen, Xiaozhen[1]; Xiao, Xinke[1]; Li, Fan[2]; Zhang, Wei[3]
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/11/30 |
| Enteral nutrition feeding in Chinese intensive care units: a cross-sectional study involving 116 hospitals 期刊论文
CRITICAL CARE, 2018, 卷号: 22
作者: Xing, Juan; Zhang, Zhongheng; Ke, Lu; Zhou, Jing; Qin, Bingyu
收藏 | 浏览/下载：61/0 | 提交时间：2019/11/26
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| Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者: Shi JY(史敬元); Fan J(樊捷); Kang XW(康玄武); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森)
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2019/04/19 |
