|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n-Si异质结、太阳电池器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01,
作者: 马忠权[1]; 高明[2]; 陈东运[3]; 韩百超[4]; 赵磊[5]
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/04/22 |
| 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 期刊论文
电子器件, 2018, 卷号: 41, 页码: 1367-1371
作者: 蔡剑辉[1]; 陈治西[2]; 刘晨鹤[3]; 张栋梁[4]; 刘强[5]
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/04/22
|
| 高阻氧化钼半导体薄膜在新型异质结光伏器件中的作用 会议论文
第一届全国功能薄膜与涂层学术研讨会暨国际论坛, 2017-07-23
作者: 韩百超[1]; 高明[2]; 陈东运[3]; 宋文磊[4]; 宋晓敏[5]
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/04/25
|
| 掺杂非晶氧化硅薄膜中三元化合态与电子结构的第一性原理计算 期刊论文
物理学报, 2017, 卷号: 66, 页码: 284-290
作者: 万亚州[1]; 高明[2]; 李勇[3]; 郭海波[4]; 李拥华[5]
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/04/25
|
| 超薄SiO_x钝化层所导致的半导体-绝缘体-半导体异质结高频隧道电容溢出现象 期刊论文
科学通报, 2017, 页码: 3385-3391
作者: 李勇[1]; 高明[2]; 万亚州[3]; 杜汇伟[4]; 陈姝敏[5]
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/04/26
|
| 掺杂非晶氧化硅薄膜中三元化合态与电子结构的第一性原理计算 期刊论文
物理学报, 2017, 卷号: 66, 页码: 188802
作者: 万亚州[1]; 高明[2]; 李勇[3]; 郭海波[4]; 李拥华[5]
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/04/24
|
| 超薄SiO_x钝化层所导致的半导体-绝缘体-半导体异质结高频隧道电容溢出现象 期刊论文
科学通报, 2017, 卷号: 62, 页码: 3385-3391
作者: 李勇[1]; 高明[2]; 万亚州[3]; 杜汇伟[4]; 陈姝敏[5]
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/04/24
|
| 平面型钙钛矿太阳能电池温度相关的光伏性能时间响应特性 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 页码: 188801
作者: 曹汝楠[1]; 徐飞[2]; 朱佳斌[3]; 葛升[4]; 王文贞[5]
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/04/26
|
| 无机材料中多种气体元素的脉冲熔融—质谱法测定 会议论文
2015-07-01
作者: 王海舟[1]; 周振[2]; 沈学静[3]; 王蓬[4]; 杨植岗[5]
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/04/26
|
| 磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化 期刊论文
科学通报, 2015, 卷号: 60, 页码: 1841-1848
作者: 高明[1]; 杜汇伟[2]; 杨洁[3]; 陈姝敏[4]; 徐静[5]
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/04/26
|
