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| 半導体発光装置 专利
专利号: JP4163321B2, 申请日期: 2008-08-01, 公开日期: 2008-10-08
作者: 下山 謙司; 長尾 哲; 藤井 克司; 後藤 秀樹
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| 半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利号: JP2007049188A, 申请日期: 2007-02-22, 公开日期: 2007-02-22
作者: 下山 謙司; 長尾 哲; 藤井 克司; 後藤 秀樹
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP3795931B2, 申请日期: 2006-04-21, 公开日期: 2006-07-12
作者: 堀江 秀善; 藤森 俊成; 長尾 哲; 細井 信行; 後藤 秀樹
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| 半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP3689733B2, 申请日期: 2005-06-24, 公开日期: 2005-08-31
作者: 堀江 秀善; 藤森 俊成; 長尾 哲; 後藤 秀樹
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| V溝構造を有する半導体発光装置 专利
专利号: JP3446344B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
作者: 下山 謙司; 長尾 哲; 清見 和正; 後藤 秀樹
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| エピタキシャルウエハー及びそれを用いてなる半導体発光装置 专利
专利号: JP1998326935A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: 藤井 克司; 長尾 哲; 下山 謙司; 後藤 秀樹
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| 半導体発光装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1998326945A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: 下山 謙司; 藤井 克司; 長尾 哲; 後藤 秀樹
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| 半導体発光装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1998326937A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: 長尾 哲; 藤井 克司; 下山 謙司; 後藤 秀樹
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| 半導体発光装置 专利
专利号: JP1998326936A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: 藤井 克司; 長尾 哲; 下山 謙司; 後藤 秀樹
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| 半導体発光装置 专利
专利号: JP1998326938A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者: 長尾 哲; 藤井 克司; 下山 謙司; 後藤 秀樹
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