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西安光学精密机械研究... [2]
内容类型
专利 [2]
发表日期
2009 [2]
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氮化物系半导体激光器的制造方法以及氮化物系半导体激光器
专利
专利号: CN101527428A, 申请日期: 2009-09-09, 公开日期: 2009-09-09
作者:
金本恭三
;
盐泽胜臣
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提交时间:2019/12/31
氮化物半导体装置及其制造方法
专利
专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者:
盐泽胜臣
;
金本恭三
;
大石敏之
;
黑川博志
;
川崎和重
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提交时间:2019/12/31
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