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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的光发射装置 专利 专利号: CN1345474B, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2012-11-14 作者:  高山彻;  马场孝明;  詹姆斯S.哈里斯,Jr. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 带有应变补偿层的半导体结构及其制备方法 专利 专利号: CN1347581A, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2002-05-01 作者:  高山彻;  马场考明;  詹姆斯S·哈里斯JR. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31