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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP3718952B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24
作者: 門脇 朋子; 木村 達也; 多田 仁史; 藤原 正敏
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| 半導体素子および製造方法 专利
专利号: JP2000151021A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30
作者: 藤原 正敏
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| 半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2000091313A, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31
作者: 藤原 正敏
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1999004041A, 申请日期: 1999-01-06, 公开日期: 1999-01-06
作者: 藤原 正敏
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| 活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードとその製造方法 专利
专利号: JP1998256652A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者: 藤原 正敏; 門脇 朋子; 柴田 公隆
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1996008394B2, 申请日期: 1996-01-29, 公开日期: 1996-01-29
作者: 武本 彰
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1995176820A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14
作者: 鴫原 君男; 藤原 正敏
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| 分布帰還型半導体レーザ 专利
专利号: JP1995045907A, 申请日期: 1995-02-14, 公开日期: 1995-02-14
作者: 藤原 正敏
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1995003909B2, 申请日期: 1995-01-18, 公开日期: 1995-01-18
作者: 藤原 正敏
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