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Research progress on epigenetic regulation-based mechanistic studies of Chinese herbal medicines in treatment of rheumatoid arthritis 期刊论文
Chinese Pharmacological Bulletin, 2019, 卷号: 35, 期号: 07, 页码: 893-897
作者:  Lin Y(林也);  Li X(李鑫);  Yang Z(杨珍);  Tang L(唐琳);  Zhang T(张婷)
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10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶)
收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/03/27
Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:  Fan, Yaming(范亚明);  Song, Liang(宋亮);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhao, Jie
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2019/03/27
Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018
作者:  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Fan, Yaming(范亚明);  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Yu, Guohao(于国浩);  Zhao, Jie
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/03/27
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Li, Xiang;  Xu, Ning;  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Zhang, Xinping
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/03/27
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2017/03/11
贵州省普定县五指山铅锌矿资源储量核实及勘探 获奖成果
国家奖: 一等奖, 2016
作者:  林贵生、王兵、朱尤青、吴先彪、曾道国、谢卫东、麻炳贵、罗传庆、林日松、杨荣林、陈兴龙、苏之良、张信伦、陈旭、蔡国盛、周俊
收藏  |  浏览/下载：225/0  |  提交时间：2018/12/10
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明)
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2017/03/11
Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明)
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2015/12/31
煤矿采煤工作面瓦斯抽采达标效果评判 期刊论文
2015, 卷号: 0, 期号: 9, 页码: 135-136
作者:  蔡立勇;  黄松
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