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重组新城疫病毒rl-RVG抑制人肺腺癌A549系细胞迁移及相关机制 期刊论文
基础医学与临床, 2015, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 508-513
作者:  金惠[1];  步雪峰[2];  王穆彬[3];  苏春香[4];  严玉兰[5]
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Silicon-on-insulator lateral-insulated-gate-bipolar-transistor with built-in self-anti-ESD diode 期刊论文
Sensors and Transducers, 2014, 卷号: 171, 页码: 86-92
作者:  Cheng, Xiaojun;  Zhang, Haipeng;  Qi, Ruisheng;  Su, Buchun;  Zhao, Weili
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GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 17, 页码: 176104-1-176104-5
苏少坚,成步文,薛春来,张东亮,张广泽,王启明
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Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 028101-1-028101-5
作者:  苏少坚;  汪巍;  张广泽;  左玉华;  薛春来
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SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展 期刊论文
微电子学, 2011, 卷号: 41, 页码: 461-464,478
作者:  苏步春;  张海鹏;  王德君
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硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管 期刊论文
激光与光电子学进展, 2010, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 14-14
作者:  苏少坚;  薛春来;  胡炜玄;  成步文;  薛海韵
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外延生长Gel-xSnx合金的研究进展 期刊论文
材料导报, 2010, 卷号: 24, 期号: 11上, 页码: 90-93，117
作者:  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  张广泽;  成步文
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用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001
作者:  苏少坚;  白安琪;  胡炜玄;  樊中朝;  成步文
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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