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ZnSe単結晶の製造方法 专利
专利号: JP3821508B2, 申请日期: 2006-06-30, 公开日期: 2006-09-13
作者:  大高 修司;  山村 武晴;  佐川 徹;  笛吹 克夫
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ZnSe系II-VI 族化合物半導体レーザー 专利
专利号: JP1997214062A, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-08-15
作者:  西野 勇;  佐川 徹;  笛吹 克夫
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