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西安光学精密机械研究... [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2006 [1]
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氮化物半导体装置的制造方法
专利
专利号: CN102130425A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
作者:
大野彰仁
;
竹见政义
;
山本高裕
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提交时间:2020/01/18
半导体发光元件
专利
专利号: CN101154796A, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2008-04-02
作者:
大野彰仁
;
竹见政义
;
富田信之
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提交时间:2020/01/18
半导体元件以及半导体元件的制造方法
专利
专利号: CN1783525A, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2006-06-07
作者:
大野彰仁
;
竹见政义
;
富田信之
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提交时间:2019/12/31
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