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| 面発光レーザ、該面発光レーザによって構成される光学機器 专利
专利号: JP5058939B2, 申请日期: 2012-08-10, 公开日期: 2012-10-24
作者: 竹内 哲也; 内田 武志
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| 垂直共振器型面発光レーザ、それを用いた画像形成装置 专利
专利号: JP2011249557A, 申请日期: 2011-12-08, 公开日期: 2011-12-08
作者: 稲生 耕久; 井久田 光弘; 竹内 哲也
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| 垂直共振器型面発光レーザ素子、及び該垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた画像形成装置 专利
专利号: JP2009094485A, 申请日期: 2009-04-30, 公开日期: 2009-04-30
作者: 内田 武志; 竹内 哲也
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| 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 专利
专利号: JP4298023B2, 申请日期: 2009-04-24, 公开日期: 2009-07-15
作者: 岩谷 素顕; 竹内 哲也; 天野 浩; 赤▲崎▼ 勇
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| 包含多层反射器的光学设备和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN101132118A, 申请日期: 2008-02-27, 公开日期: 2008-02-27
作者: 竹内哲也
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| 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者: 竹内哲也; 渡边智; 金子和; 山田范秀; 天野浩
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| 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者: 竹内哲也; 渡边智; 金子和; 山田范秀; 天野浩
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| 非対称InGaAsN垂直空胴表面放出レーザ 专利
专利号: JP2003298187A, 申请日期: 2003-10-17, 公开日期: 2003-10-17
作者: 竹内 哲也; イン-ラン·チャン; ディビッド·ピー·ブール; マイケル·エイチ·リアリー; マイケル·アール·ティ·タン
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| 窒化物半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2000124552A, 申请日期: 2000-04-28, 公开日期: 2000-04-28
作者: 竹内 哲也; 金子 和; 山田 範秀; 天野 浩; 赤▲崎▼ 勇
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| 窒化物半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998233529A, 申请日期: 1998-09-02, 公开日期: 1998-09-02
作者: 山田 範秀; 中川 茂; 山岡 慶文; 竹内 哲也; 金子 和
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