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| CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法 期刊论文 功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 页码: 423-428 作者: 闵嘉华[1]; 樊建荣[2]; 秦凯丰[3]; 詹峰[4]; 桑文斌[5]
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| 共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法 专利 申请日期: 2005-01-01, 作者: 桑文斌[1]; 王昆黍[2]; 闵嘉华[3]; 张奇[4]; 腾建勇[5]
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| 核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法 专利 申请日期: 2004-01-01, 作者: 桑文斌[1]; 闵嘉华[2]; 王昆黍[3]; 秦凯丰[4]; 樊建荣[5]
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| 垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 页码: 535-541 作者: 李万万[1]; 桑文斌[2]; 闵嘉华[3]; 郁芳[4]; 张斌[5]
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| CdZnTe核辐射探测器材料与器件研究进展 期刊论文 上海有色金属, 2004, 卷号: 25, 页码: 87-94 作者: 李万万[1]; 桑文斌[2]; 王昆黍[3]; 闵嘉华[4]; 张斌[5]
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| 钝化处理对CdZnTe Gamma射线探测器漏电流的影响 期刊论文 半导体光电, 2003, 卷号: 24, 页码: 312-315 作者: 李万万[1]; 桑文斌[2]; 闵嘉华[3]; 郁芳[4]; 张斌[5]
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| 钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响 期刊论文 半导体光电, 2003, 卷号: 24, 页码: 312-315 作者: 李万万[1]; 桑文斌[2]; 闵嘉华[3]; 郁芳[4]; 张斌[5]
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