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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法 期刊论文 功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 页码: 423-428 作者:  闵嘉华[1];  樊建荣[2];  秦凯丰[3];  詹峰[4];  桑文斌[5] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/10 CZT共面栅器件  权重势  电子俘获  电荷感应效率   共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法 专利 申请日期: 2005-01-01, 作者:  桑文斌[1];  王昆黍[2];  闵嘉华[3];  张奇[4];  腾建勇[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/05/10 核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法 专利 申请日期: 2004-01-01, 作者:  桑文斌[1];  闵嘉华[2];  王昆黍[3];  秦凯丰[4];  樊建荣[5] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/05/10 垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 页码: 535-541 作者:  李万万[1];  桑文斌[2];  闵嘉华[3];  郁芳[4];  张斌[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/05/10 垂直布里奇曼法  有限元法   CdZnTe核辐射探测器材料与器件研究进展 期刊论文 上海有色金属, 2004, 卷号: 25, 页码: 87-94 作者:  李万万[1];  桑文斌[2];  王昆黍[3];  闵嘉华[4];  张斌[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/05/10 CdZnTe 核辐射探测器 晶体生长 器件制作 研究进展   钝化处理对CdZnTe Gamma射线探测器漏电流的影响 期刊论文 半导体光电, 2003, 卷号: 24, 页码: 312-315 作者:  李万万[1];  桑文斌[2];  闵嘉华[3];  郁芳[4];  张斌[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/05/10 CdZnTe晶体  Gamma射线探测器  钝化处理  漏电流   钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响 期刊论文 半导体光电, 2003, 卷号: 24, 页码: 312-315 作者:  李万万[1];  桑文斌[2];  闵嘉华[3];  郁芳[4];  张斌[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/05/10 CdZnTe晶体  Gamma射线探测器  钝化处理  漏电流