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| 激光二极管 专利
专利号: CN1913263B, 申请日期: 2012-12-12, 公开日期: 2012-12-12
作者: 佐藤庆二; 林隆一郎; 及川健二; 浅野竹春
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
作者: 山口 恭司; 小林 俊雅; 喜嶋 悟; 小林 高志; 朝妻 庸紀
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| 激光二极管和激光二极管器件 专利
专利号: CN1933262A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者: 仓本大; 浅野竹春
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
作者: 日野智公; 浅野竹春; 朝妻庸纪; 喜嶋悟; 船户健次
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| 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
作者: 后藤修; 浅野竹春; 竹谷元伸; 簗克典; 池田真朗
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2000164985A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16
作者: 吉田 浩; 浅野 竹春
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1999026868A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者: 東條 剛; 浅野 竹春
收藏 | 浏览/下载：37/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| II-VI族化合物半導体の製造方法 专利
专利号: JP1997270564A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14
作者: 浅野 竹春
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| 発光素子およびそれを用いたレーザCRT 专利
专利号: JP1995335990A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
作者: 浅野 竹春; 船戸 健次; 戸田 淳
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| 半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法 专利
专利号: JP2000040856A, 公开日期: 2000-02-08
作者: 浅野 竹春; 朝妻 庸紀; 日野 智公; 池田 昌夫
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