已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 激光二极管 专利 专利号: CN1913263B, 申请日期: 2012-12-12, 公开日期: 2012-12-12 作者: 佐藤庆二; 林隆一郎; 及川健二; 浅野竹春
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体発光素子の製造方法 专利 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30 作者: 山口 恭司; 小林 俊雅; 喜嶋 悟; 小林 高志; 朝妻 庸紀
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 激光二极管和激光二极管器件 专利 专利号: CN1933262A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21 作者: 仓本大; 浅野竹春
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28 作者: 日野智公; 浅野竹春; 朝妻庸纪; 喜嶋悟; 船户健次
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 氮化物半导体,半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24 作者: 后藤修; 浅野竹春; 竹谷元伸; 簗克典; 池田真朗
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP2000164985A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16 作者: 吉田 浩; 浅野 竹春
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザおよびその製造方法 专利 专利号: JP1999026868A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者: 東條 剛; 浅野 竹春
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| II-VI族化合物半導体の製造方法 专利 专利号: JP1997270564A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14 作者: 浅野 竹春
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 発光素子およびそれを用いたレーザCRT 专利 专利号: JP1995335990A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22 作者: 浅野 竹春; 船戸 健次; 戸田 淳
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法 专利 专利号: JP2000040856A, 公开日期: 2000-02-08 作者: 浅野 竹春; 朝妻 庸紀; 日野 智公; 池田 昌夫
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26 |