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一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法 专利
申请日期: 2017-01-01,
作者:  沈悦[1];  张宗坤[2];  徐宇豪[3];  沈意斌[4];  黄健[5]
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具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法 专利
申请日期: 2016-01-01,
作者:  王林军[1];  季欢欢[2];  杨瑾[3];  黄健[4];  吴杨琳[5]
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/04/26


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